消费级 DRAM 缺货传导至 DDR2，全品类存储价格持续大涨

TrendForce 最新调研数据显示，AI 算力需求挤压成熟制程产能，消费级 DRAM 出现结构性供给缺口，下游整机厂商为获取稳定供货配额，转而采购 DDR2、DDR3 等老旧代内存，带动前代存储芯片价格连续大幅上涨。

行情走势方面，DDR2 在 2026 年一季度涨价后，二季度合约价环比涨幅达到 55% 至 60%，机构预判三季度将再度上涨 35% 至 40%。本轮缺货根源在于三星、SK 海力士、美光三大原厂持续倾斜先进晶圆产能，全力生产高毛利 HBM 与服务器 DRAM，同步削减 DDR4 成熟制程投片量，采购 DDR4 的消费电子厂商只能转向华邦电子、南亚科技等台厂拿货。

当前市场需求远超台厂可供应比特总量，南亚、华邦议价能力显著提升，两家企业主动缩减低毛利成熟内存产能，优先生产高附加值产品优化盈利。整机 OEM、ODM 受供货短缺与成本上涨双重压力，下调产品内存规格控制开支，多款设备方案从 DDR4 切换至 DDR3，部分嵌入式产品进一步改用 DDR2，缺货压力沿各代存储产品层层向下传导。

DDR2 供给格局出现分化，核心厂商华邦逐步缩减该品类产线，转产 DDR3、DDR4、LPDDR4 等高利润产品，进一步收紧 DDR2 货源；晶豪科技则充分利用力积电晶圆配额拉满 DDR2 产能，填补华邦减产留下的供给缺口。

整体存储市场二季度涨价幅度突出，常规 DRAM 合约价环比上涨 58% 至 63%，NAND Flash 受 AI 数据中心需求拉动全线涨价，环比涨幅 70% 至 75%。分应用赛道来看，PC 市场终端需求走弱，但原厂主动压缩对 PC 品牌、模组厂出货量，配额紧缺倒逼下游高价拿货，持续支撑价格上行。

北美云服务商加速 AI 推理硬件部署，拉高通用服务器与 AI 服务器采购量，高容量 RDIMM 成为采购重点；原厂优先保障服务器内存产能，同步与头部客户签订长期供货协议锁定远期订单，短期服务器存储供给依旧紧张。智能手机品牌面临存储成本抬升，计划从二季度调整生产节奏，但上半年移动 DRAM 需求不会大幅下滑，原厂通过调价缩小各产品线价差，移动内存合约价维持上涨趋势。显卡 GDDR 产能分配有限，存储成本上涨压制笔记本、游戏硬件需求，二季度价格延续上行。

消费级内存以低毛利走量产品为主，持续涨价让部分终端出现成本倒挂，终端采购需求小幅降温；但主流大厂持续收缩消费级 DRAM 产能的趋势没有改变，供需失衡问题短期难以缓解。

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